| 型号： | GDZT2R8.2 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 |
| GDZT2R8.2 PDF |  |
| 产品目录绘图 | Zener Diode GMD2 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 电压 - 齐纳（标称）(Vz) | 8.2V |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | - |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 500nA @ 5V |
| 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 阻抗（最大）(Zzt) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | GMD2 |
| 供应商设备封装 | GMD2 |
| 包装 | 标准包装 |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 产品目录页面 | 1649 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | GDZT2R8.2DKR |